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  IGBT (155 articoli)

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Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 35 Ampere ...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
a partire da € 486,73602*
per 6 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 35 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP26 Tipo di montaggio...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
a partire da € 81,312*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (PRESSFIT) (senza piombo/alogenuro), PIM42 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4 Tipo di package = 93x47 (PRESSFIT) (senza...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
a partire da € 240,273*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (PRESSFIT) (senza piombo/alogenuro), PIM42 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 959 W. Tipo di package = 93x47 (...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
a partire da € 263,347*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (pin A SALDARE) (senza piombo/alogenuro), PIM44 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 959 W.
onsemi
NXH400N100H4Q2F2SG
a partire da € 234,989*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (pin A SALDARE) (senza piombo/alogenuro), PIM44 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4
onsemi
NXH400N100H4Q2F2SG
a partire da € 257,091*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, Q0PACK - contenitore 180AJ (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (2 offerte) 
Dissipazione di potenza massima = 118 W
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
a partire da € 82,96*
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 pezzo
Modulo IGBT onsemi, Q0PACK - contenitore 180AJ (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 118 W
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
a partire da € 89,983*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, Q1 A 3 canali BOOST - pin a saldare con contenitore 180BQ (senza piombo) (2 offerte) 
Dissipazione di potenza massima = 156 W
onsemi
NXH40B120MNQ1SNG
a partire da € 125,41*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, Q1 A 3 canali BOOST - pin a saldare con contenitore 180BQ (senza piombo) (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 156 W
onsemi
NXH40B120MNQ1SNG
a partire da € 138,18*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q13-TNPC (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...
onsemi
NXH40T120L3Q1SG
a partire da € 274,55*
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 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q13-TNPC (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...
onsemi
NXH40T120L3Q1SG
a partire da € 501,318*
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 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro) (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
a partire da € 163,91*
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 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BG (pin a pressione senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
a partire da € 179,575*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BR (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
a partire da € 5.885,15004*
per 36 pezzi
 
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