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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Lon Semiconductor Field Stop Trench IGBT offre le prestazioni ottimali per la topologia di commutazione sia hard che soft in applicazioni automobilistiche. Si tratta di un IGBT autonomo.Qualifica A... |
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a partire da € 1.033,614* per 450 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 238 W Tipo di package = TO-247 T... |
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a partire da € 2,448* per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Lon Semiconductor Field Stop Trench IGBT offre le prestazioni ottimali per la topologia di commutazione sia hard che soft in applicazioni automobilistiche. Si tratta di un IGBT autonomo.Qualifica A... |
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a partire da € 909,081* per 450 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 T... |
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a partire da € 2,212* per pezzo |
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a partire da € 6,726* per 2 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3PF (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 94 W Tipo di package = TO-3PF Tipo... |
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a partire da € 711,9828* per 360 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-3PF (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-3PF Tipo di montaggio ... |
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a partire da € 9,579* per 3 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 950 V, TO-247 (1 offerta) Arresto Di Campo Trench 4th generazione IGBT a bassa Vcesat co−confezionato con diodo a corrente nominale completaTemperatura di giunzione massima: TJ =175℃ Coefficiente di temperatura positivo per... |
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a partire da € 188,4201* per 30 pezzi |
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IGBT onsemi, VCE 950 V, TO-247 (1 offerta) Tensione massima collettore emitter = 950 V Dissipazione di potenza massima = 453 W Tipo di package = TO-247 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Configurazione transistor = Singolo Dimension... |
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a partire da € 6,637* per pezzo |
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Modulo IGBT onsemi, DIP38 (2 offerte) LON Semiconductor NFAQ0860L33T è uno stadio di potenza per inverter completamente integrato costituito da un driver ad alta tensione, sei IGBT e un termistore, adatto per lazionamento di motori sin... |
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a partire da € 8,13* per pezzo |
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a partire da € 9,372* per pezzo |
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Modulo IGBT onsemi, DIP38 (2 offerte) LON Semiconductor NFAQ1060L36T è uno stadio di potenza per inverter completamente integrato costituito da un driver ad alta tensione, sei IGBT e un termistore, adatto per lazionamento di motori sin... |
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a partire da € 9,286* per pezzo |
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a partire da € 8,616* per pezzo |
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Modulo IGBT onsemi, DIP38 (2 offerte) LON Semiconductor NFVA22512NP2T è un modulo Advanced Auto IPM che fornisce uno stadio di uscita inverter ad alte prestazioni e completo per veicoli ibridi ed elettrici.Termistore NTC incorporato pe... |
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a partire da € 70,888* per pezzo |
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a partire da € 66,384* per pezzo |
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