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Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, SIP (1 offerta) 
The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...
onsemi
NFAP0560L3TT
a partire da € 9,624*
per pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CAA (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CAA Tipo di montaggi...
onsemi
NFAL5065L4B
a partire da € 39,12*
per pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CAA (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CAA Tipo di montaggi...
onsemi
NFAL5065L4B
a partire da € 46,481*
per pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CABINA (2 offerte) 
LON Semiconductor NFAL5065L4BT è un modulo di potenza intelligente che fornisce uno stadio di uscita inverter ad alte prestazioni completo per motori a induzione c.a., BLDC e PMSM. Questi moduli in...
onsemi
NFAL5065L4BT
a partire da € 40,783*
per pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CABINA (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CABINA Tipo di monta...
onsemi
NFAL5065L4BT
a partire da € 46,444*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (2 offerte) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 2,722*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (1 offerta) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 3,841*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 0,67*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 0,985*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 3 Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,48*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,62*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,014*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,48*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 111,45*
per 30 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 4,192*
per pezzo
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