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a partire da € 1,328*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 55 A, 188 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 55 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = 188 Tipo di montaggio =... |
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a partire da € 1,34*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO263... |
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a partire da € 1,349*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO263-3 Tipo di mont... |
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a partire da € 1,35*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (2 offerte) Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
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a partire da € 1,357*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO220-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO220... |
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a partire da € 1,364*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG... |
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a partire da € 1,366*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO263 (3 offerte) Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda... |
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a partire da € 1,388*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO220... |
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a partire da € 1,394*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220 (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGP20H65DFB2 |
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a partire da € 1,396*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO247... |
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a partire da € 1,40*
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247 (2 offerte) Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 20 A, ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
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a partire da € 1,41*
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IGBT Infineon, VCE 1100 V, IC 30 A, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 1100 V Tensione massima gate emitter = 5.8V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247 Tipo di montaggio... |
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a partire da € 1,418*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO220-3 (3 offerte) Transistor bipolare a gate isolato duopack di quinta generazione Infineon 650V e diodo di serie ad alta velocità di commutazione nella tecnologia di arresto di tendenza.Elevata efficienza Basse per... |
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a partire da € 1,418*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 55 A, 188 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 55 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 188 W Tipo di package = 188 Tipo... |
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a partire da € 1,439*
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