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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 55 A, 188 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 55 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 188 W Tipo di package = 188 Tipo... |
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a partire da € 1,449*
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 25 A, canale N, TO-247 (3 offerte) IGBT a conduzione inversa serie IHW Infineon da 1200 V, 25 A con diodo integrato monoliticamente in un contenitore TO-247 che si concentra sullefficienza e laffidabilità del sistema per i requisiti... |
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a partire da € 1,46*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 25 V, ±20 V Dissipazione di potenza massima = 200 W Tipo di package = PG... |
Infineon IKW15N120BH6XKSA1 |
a partire da € 1,46*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica |
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a partire da € 1,46*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO263-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO263... |
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a partire da € 1,47*
per pezzo |
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a partire da € 1,48*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, canale N, TO-220 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = TO-220 Tip... |
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a partire da € 1,48*
per pezzo |
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a partire da € 1,48*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-263 Tipo di canale = N ... |
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a partire da € 1,481*
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ST Microelectronics STGW20H60DF |
a partire da € 1,481*
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ST Microelectronics STGWA30HP65FB2 |
a partire da € 1,516*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-220FP (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGF30H65DFB2 |
a partire da € 1,533*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO247... |
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a partire da € 1,539*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 16 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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a partire da € 1,54*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (2 offerte) Infineon IHW40N65R6 è un IGBT da 650 V, 40 A con diodo integrato monoliticamente in contenitore TO-247 con diodo integrato monoliticamente progettato per soddisfare i requisiti più esigenti di appl... |
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a partire da € 1,547*
per pezzo |
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