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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, PG-TO247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 85 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 30V Dissipazione di potenza massima = 227 W Tipo di package = PG-TO247 Ti... |
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a partire da € 1,848*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247GE (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 174 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH50TS65DGC13 |
a partire da € 1,85*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA20HP65FB2 |
a partire da € 1,852*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 25 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 25 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 231 W Tipo di package = TO-247 Tip... |
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a partire da € 1,862*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGW40H65DFB |
a partire da € 1,87*
per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Lon Semiconductor Field Stop Trench IGBT offre le prestazioni ottimali per la topologia di commutazione sia hard che soft in applicazioni automobilistiche. Si tratta di un IGBT autonomo.Qualifica A... |
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a partire da € 1,87*
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ST Microelectronics STGW20NC60VD |
a partire da € 1,875*
per pezzo |
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a partire da € 1,885*
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ST Microelectronics STGW20V60F |
a partire da € 1,894*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG... |
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a partire da € 1,899*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247GE (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 144 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH40TS65GC13 |
a partire da € 1,90*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 38 A, TO-220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 38 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 130 W Tipo di package = TO-220-3 |
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a partire da € 1,902*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 70, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 70 Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC13 |
a partire da € 1,911*
per pezzo |
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a partire da € 1,911*
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IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 40 A, PG-TO247-3 (2 offerte) Il transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico al corpo offre unelevata tensione di scarica distruttiva di 1350v.Elevata efficienza Basse perdite di comm... |
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a partire da € 1,914*
per pezzo |
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