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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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a partire da € 2,14*
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IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 1350 V. Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 330 W Tipo di package = TO-247 Ti... |
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a partire da € 2,141*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 1350 V. Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±25 V Dissipazione di potenza massima = 310 W Tipo di package = ... |
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a partire da € 2,165*
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IGBT ROHM, VCE 600 V, IC 48 A, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 48 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 111 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL60TS60GC13 |
a partire da € 2,169*
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 8 A, canale N, TO-247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 8 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Configurazione = Single Tipo di montaggio =... |
Infineon IKW08N120CS7XKSA1 |
a partire da € 2,17*
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Infineon IKWH70N65WR6XKSA1 |
a partire da € 2,17*
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 85, TO-247GE (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 85 Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT00TS65DGC13 |
a partire da € 2,175*
per pezzo |
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a partire da € 2,18*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 2,183*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato con duopack a bassa perdita Infineon in tecnologia trenchstop e fieldstop.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenz... |
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a partire da € 2,195*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES... |
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a partire da € 2,195*
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ST Microelectronics STGW39NC60VD |
a partire da € 2,196*
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Lon Semiconductor Field Stop Trench IGBT offre le prestazioni ottimali per la topologia di commutazione sia hard che soft in applicazioni automobilistiche. Si tratta di un IGBT autonomo.Qualifica A... |
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a partire da € 2,208*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = PG-TO247-3 Tipo di mon... |
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a partire da € 2,21*
per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 T... |
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a partire da € 2,212*
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