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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato Infineon di sesta generazione di serie ad alta velocità di commutazione soft.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interfer... |
Infineon IKW15N120BH6XKSA1 |
n.d. |
a partire da € 2,22* per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 70 A, TO-247GE (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 70 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 234 W Tipo di package = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65GC13 |
n.d. |
a partire da € 2,25* per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 147 W Tipo di package = TO-247 Num... |
ST Microelectronics STGWA20H65DFB2 |
n.d. |
a partire da € 2,251* per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (1 offerta) Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
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n.d. |
a partire da € 2,263* per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 306 W Tipo di package = PG-TO247... |
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n.d. |
a partire da € 2,278* per pezzo |
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ST Microelectronics STGH30H65DFB-2AG |
n.d. |
a partire da € 2,283* per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30.0V Dissipazione di potenza massima = 268 W Tipo di package = TO-247 T... |
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n.d. |
a partire da € 2,288* per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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n.d. |
a partire da € 2,29* per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-3L (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 30 Tipo di package = TO-247-3L |
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n.d. |
a partire da € 2,29* per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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n.d. |
a partire da € 2,293* per pezzo |
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IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 30 A, TO-247N (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = TO-247N |
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a partire da € 2,294* per pezzo |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-220 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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n.d. |
a partire da € 2,30* per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 240 W Tipo di package = D2PAK Tipo... |
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n.d. |
a partire da € 2,315* per pezzo |
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Infineon IKWH50N65WR6XKSA1 |
n.d. |
a partire da € 2,32* per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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n.d. |
a partire da € 2,33* per pezzo |
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