IGBT (1.619 articoli)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = PG-TO247-...

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = PG-TO247-...

LIGBT Infineon da 40 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una ...

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 25V Dissipazione di potenza massima = 5 kW Tipo di package = PG-TO247 Ti...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...

Corrente massima continuativa collettore = 890 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW

Corrente massima continuativa collettore = 890 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW

Corrente massima continuativa collettore = 900 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Tipo di package = AG-ECONOD-711

Corrente massima continuativa collettore = 900 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Tipo di package = AG-ECONOD-711

Corrente massima continuativa collettore = 900 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = AG-ECONOD...

Il modulo Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 con diodo a emissione controllata 7, tecnologia dei contatti NTC e Pressfit. Disponibile anche con materiale di interfaccia term...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...

IGBT a conduzione inversa serie IHW Infineon con diodo integrato monoliticamente in un contenitore TO-247 che si concentra sullefficienza e laffidabilità del sistema per i requisiti più esigenti de...