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IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 120 A, TO247PLUS (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 120 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = TO247PLUS |
Infineon AIKQ120N75CP2XKSA1 |
a partire da € 10,12*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO247PLUS (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 3 Tipo di package = TO247PLUS |
Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 |
a partire da € 3.133,4808*
per 240 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO247PLUS (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 1,07 kW Tipo di package = TO247PLUS |
Infineon AIKQ200N75CP2XKSA1 |
a partire da € 14,089*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 2,60*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato Infineon con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interfer... |
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a partire da € 3,603*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 2,655*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è dotato di tecnologia fieldstop con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commu... |
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a partire da € 4,01*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Il transistor bipolare a gate isolato con tecnologia F5 Infineon ad alta velocità offre lefficienza migliore della categoria nelle topologie a commutazione e risonanza difficili.Elevata efficienza ... |
Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 |
a partire da € 4,195*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG... |
Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 |
a partire da € 4,534*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3 (3 offerte) Transistor bipolare a gate isolato con tecnologia Fieldstop Infineon e diodo controllato da emettitore anti-parallelo a recupero rapido morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Magg... |
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a partire da € 4,382*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO263-3... |
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a partire da € 6,199*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247... |
Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 |
€ 981,84*
per 240 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Infineon AIKW50N65RF5 è unalimentazione discreta ibrida con tecnologia di alimentazione SiC con le migliori prestazioni in termini di costi, è laspetto più importante per le applicazioni ausiliarie... |
Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 |
a partire da € 7,267*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 428 W Tipo di package = PG-TO247-3... |
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a partire da € 6,95*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Transistor bipolare a gate isolato Infineon con coefficiente di temperatura positivo nella tensione di saturazione.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa inter... |
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a partire da € 9,253*
per pezzo |
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