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  IGBT (1.619 articoli)

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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAR12F4
a partire da € 48,814*
per pezzo
 
 pezzo
IXYS
MII75-12A3
a partire da € 49,257*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 45 A, EasyPACK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 45 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = EasyPACK ...
Infineon
FS75R17W2E4PB11BPSA1
a partire da € 49,418*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 39 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 39 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4BOMA1
a partire da € 49,685*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di ca...
onsemi
NXH100B120H3Q0PTG
a partire da € 50,18*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
NXH100B120H3Q0 è un modulo di potenza contenente uno stadio dual boost costituito da due IGBT da 50A/1200 V, due diodi SiC da 20A/1200 V e due diodi in antiparallelo da 25 A/1600 V per gli IGBT. So...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
a partire da € 50,32*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 39 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 39 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 175 W
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
a partire da € 51,174*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 23 A, canale N, TO-220AB (1 offerta) 
IGBT singolo fino a 20 A, Infineon. IGBT ottimizzati progettati per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Questi dispos...
Infineon
IRG4BC30WPBF
a partire da € 51,62*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 70 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 70 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Infineon
F3L100R07W2H3B11BPSA1
a partire da € 52,145*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
a partire da € 52,183*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2 (2 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM50GB12T4
a partire da € 52,19*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 2
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
a partire da € 52,193*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 107 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 107 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 375 W Tipo di package = Modulo...
Infineon
FS75R12W2T4BOMA1
a partire da € 52,226*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, 70 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A, 70 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4
Infineon
DF200R07W2H3B77BPSA1
a partire da € 53,211*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 35 A, canale N, ECONO2 (1 offerta) 
Moduli IGBT, Infineon. La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz. Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione ...
Infineon
FP35R12KT4_B11
a partire da € 53,24*
per pezzo
 
 pezzo
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