Corrente massima continuativa collettore = 5 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-252
Corrente massima continuativa collettore = 50 A, 100 A (a impulsi) Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-24...
Il DGTD120T25S1PT è prodotto utilizzando lavanzata tecnologia IGBT Field Stop Trench, che fornisce una bassa VCE(sat), uneccellente qualità e prestazioni di commutazione elevate.Commutazione ad alt...
Moduli IGBT, HY Electronic. Questa gamma di moduli IGBT di HY Electronic è fornita in contenitori standard industriali con piedini di saldatura ideati per il montaggio su circuito stampato. Le appl...
Moduli IGBT, HY Electronic. Questa gamma di moduli IGBT di HY Electronic è fornita in contenitori standard industriali con piedini di saldatura ideati per il montaggio su circuito stampato. Le appl...
Driver gate non invertente low-side a canale singolo da 25 V Infineon EiceDRIVER™ per IGBT con correnti di source e sink di 2,6 A in un piccolo contenitore PG-SOT23 a 6 conduttori.Soglia di sovraco...
Il transistor bipolare a gate isolato con tecnologia H5 Infineon ad alta velocità offre lefficienza migliore della categoria nelle topologie a commutazione e risonanza difficili.Elevata efficienza ...
Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG...
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 270 W Tipo di package = PG...
Transistor bipolare ad alta velocità a gate isolato rapido a tre pin Infineon.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica
Tensione massima collettore emitter = 2 V Tensione massima gate emitter = 5.7V Dissipazione di potenza massima = 833 W. Tipo di package = PG-TO247-3 Tipo di canale = N Numero pin = 3 Configurazione...
LIGBT Infineon è dotato di tecnologia TRENCHSTOP e Field Stop per applicazioni automobilistiche 600V che offre una distribuzione dei parametri molto stretta, elevata robustezza, comportamento stabi...
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 3 Tipo di package = TO247PLUS
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interfer...
Il transistor bipolare a gate isolato Infineon è dotato di tecnologia fieldstop con diodo controllato da emettitore antiparallelo a recupero rapido morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commu...
Il transistor bipolare a gate isolato con tecnologia F5 Infineon ad alta velocità offre lefficienza migliore della categoria nelle topologie a commutazione e risonanza difficili.Elevata efficienza ...
Corrente massima continuativa collettore = 74 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG...
Transistor bipolare a gate isolato con tecnologia Fieldstop Infineon e diodo controllato da emettitore anti-parallelo a recupero rapido morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Magg...
Infineon AIKW50N65RF5 è unalimentazione discreta ibrida con tecnologia di alimentazione SiC con le migliori prestazioni in termini di costi, è laspetto più importante per le applicazioni ausiliarie...
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con coefficiente di temperatura positivo nella tensione di saturazione.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa inter...