SRAM (204 articoli)

Memoria SRAM Asynchronous Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor. I dispositivi di memoria SRAM MoBL a bassa potenza hanno un'elevata efficienza e offrono specifiche di dissipazione di potenza in...

Dimensioni memoria = 64Mbit Organizzazione = 4M x 16 Numero di parole = 4000k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 55ns

RAM statica Alliance Memory. Il modello AS6C1008 è ben progettato per applicazioni di sistema a bassissima potenza, e particolarmente adatto per applicazioni di memoria non volatile di backup a bat...

Gamma di temperature -da 40 °C a 85 °C Pin e funzione compatibili con CY7C99C. Alta velocità TAA = 10 ns Bassa potenza attiva ICC = 80 mA a 10 ns Bassa potenza di standby CMOS ISB2 = 3 mA Conservaz...

Dimensioni memoria = 64Mbit Organizzazione = 4M x 16 Numero di parole = 4000k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 55ns

RAM statica Alliance Memory. Il modello AS6C1008 è ben progettato per applicazioni di sistema a bassissima potenza, e particolarmente adatto per applicazioni di memoria non volatile di backup a bat...

Dimensioni memoria = 8Mbit Organizzazione = 512K x 16 Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 20 ns, 25 ns, 45 ns

Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 512k x 16 bit Numero di parole = 512k Numero di bit per parola = 32bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequ...

Alta velocità tAA = 10 ns/15 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa corrente attiva e di standby ICC = 90 ma tipico ISB2 = 20 mA t...

Dimensioni memoria = 16Mbit Organizzazione = 1M x 16 bit Numero di parole = 1M Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 10ns Larghezza del bus indirizzi = 16bit Frequenza...

CY7C1061G e CY7C1061GE sono dispositivi RAM CMOS statica veloce ad elevate prestazioni con ECC incorporato. Entrambi i dispositivi sono offerti in opzioni di abilitazione chip singolo e doppio e in...

La Alliance Memory AS6C6416 è una memoria ad accesso casuale statica CMOS a 67,108,864 bit a bassa potenza organizzata come 4,194,304 parole da 16 bit o 8,388,608 parole da 8 bit. È realizzato util...

Dimensioni memoria = 64Mbit Organizzazione = 4m x 16 Numero di parole = 8388608 Numero di bit per parola = 16bit Tempo di accesso casuale massimo = 55ns Bassa potenza = Sì Temporizzazione = Asincro...

RAM statica, ISSI. I prodotti con RAM statica ISSI usano la tecnologia CMOS ad alte prestazioni. Esiste una vasta gamma di RAM statiche che comprende la SRAM asincrona da 5 V ad alta velocità, la S...

Alta velocità tAA = 10 ns Codice di correzione degli errori (ECC) incorporato per la correzione degli errori a singolo bit Bassa potenza attiva ICC = 90 ma tipico Bassa potenza di standby CMOS ISB2...