Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 250V Corrente di drenaggio: 168A Resistenza nello stato di co...
Produttore: SMC DIODE SOLUTIONS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 25A Resistenza nello stato di conduzione: 137m...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 150ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 200A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 130ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 360A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 150A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 86A Resistenza nello stato di con...
Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 120A Resistenza nello stato di conduzione: 4mΩ P...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 40A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 50A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 68A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 66A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 60ns Tensione drenaggio-fonte: 40V Corrente di drenaggio: 660A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: STMicroelectronics Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 30A Resistenza nello stato di conduzione: 80mΩ Po...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 150ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 115A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 29A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 130A Resistenza nello stato di co...
Produttore: VISHAY Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 330A Resistenza nello stato di conduzione: 1,3mΩ Potenza dis...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 450ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 76A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 110A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 39A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 140ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 420A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 150ns Tensione drenaggio-fonte: 75V Corrente di drenaggio: 480A Resistenza nello stato di con...
Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 150A Resistenza nello stato di conduzione: 6,7mΩ...
Produttore: VISHAY Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 29A Resistenza nello stato di conduzione: 106mΩ Potenza diss...
Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 60V Corrente di drenaggio: 300A Resistenza nello stato di conduzione: 1,5mΩ ...
Produttore: DACO Semiconductor Temperatura di lavoro: -55...150°C Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 130A Resisten...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 128ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 160A Resistenza nello stato di co...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV Corrente di drenaggio: 26A Resistenza nello stato di conduzione: 0,...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 78A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 477ns Tensione drenaggio-fonte: -500V Corrente di drenaggio: -40A Resistenza nello stato di c...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 19A Resistenza nello stato di conduzione: 0,15...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 30A Resistenza nello stato di conduzione: 70mΩ P...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 30A Resistenza nello stato di conduzione: 70mΩ P...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 76ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 200A Resistenza nello stato di con...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 24A Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω...
Produttore: STMicroelectronics Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 33A Resistenza nello stato di conduzione: 70mΩ Po...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 112A Resistenza nello stato di co...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 250ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 90A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 485ns Tensione drenaggio-fonte: 300V Corrente di drenaggio: 80A Resistenza nello stato di con...
Produttore: DACO Semiconductor Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 180A Resistenza nello stato di conduzione: 4,5mΩ...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 300ns Tensione drenaggio-fonte: 1kV Corrente di drenaggio: 27A Resistenza nello stato di cond...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 135ns Tensione drenaggio-fonte: 250V Corrente di drenaggio: 146A Resistenza nello stato di co...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 24A Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 100ns Tensione drenaggio-fonte: 40V Corrente di drenaggio: 600A Resistenza nello stato di con...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 19A Resistenza nello stato di conduzione: 0,15...
Produttore: VISHAY Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 150V Corrente di drenaggio: 300A Resistenza nello stato di conduzione: 1,93mΩ Potenza di...
Produttore: DACO Semiconductor Temperatura di lavoro: -55...150°C Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 180A Resisten...
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 32A Resistenza nello stato di conduzione: 75mΩ...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 50A Resistenza nello stato di con...
Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 72A Resistenza nello stato di con...