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MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,0123 O, 46,2 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale (1 offerta)

La serie DiodesZetex DMTH4008LPDW è un MOSFET doppio a canale N progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione che la rende ideale ...

Diodes

DMTH4008LPDW-13

a partire da € 0,388*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0032 O, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta)

La gamma Infineon di nuovi OptiMOS -T2 offre una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS -T2 amplia...

Infineon

IPD90N04S403ATMA1

a partire da € 0,485*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0016 Ω, 320 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 320 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenza massima dr...

Infineon

AUIRF2804STRL7P

a partire da € 1.672,144*
per 800 pezzi

100%

Infineon BSC032N04LS transistor 40 V (2 offerte)

Infineon

BSC032N04LSATMA1

a partire da € 0,423*
per pezzo

100%

MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,015 Ω, 11,9 A, 30,2 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale (2 offerte)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 11,9 A, 30,2 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = DMT47 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza ma...

Diodes

DMT47M2LDV-7

a partire da € 0,309*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0034 Ω, 288 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 288 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = OptiMOS™ Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima ...

Infineon

ISZ034N06LM5ATMA1

a partire da € 1,078*
per pezzo

100%

Infineon IPB017N08N5 transistor 80 V (2 offerte)

Infineon

IPB017N08N5ATMA1

a partire da € 2,78*
per pezzo

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Infineon IRF2907ZS transistor 100 V (1 offerta)

Infineon

IRF2907ZSTRLPBF

a partire da € 1.253,504*
per 800 pezzi

100%

MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,0168 Ω, 44 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale (2 offerte)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 44 A Tensione massima drain source = 60 V Tipo di package = PowerDI5060-8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resis...

Diodes

DMT69M9LPDW-13

a partire da € 0,434*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 150 A, HSOF-8, Montaggio superficiale (1 offerta)

Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura desercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

Infineon

IAUT150N10S5N035ATMA1

a partire da € 1,93*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0017 Ω, 304 A., TO-247, Su foro (1 offerta)

Questo MOSFET Infineon strong IRFET è ideale per unelevata frequenza di commutazione e ha una migliorata robustezza gate, Avalanche e dv/dt dinamica.È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

Infineon

IRF100P219XKMA1

a partire da € 108,425*
per 25 pezzi

100%

Infineon IPC70N04S5-4R6 transistor 40 V (2 offerte)

Infineon

IPC70N04S54R6ATMA1

a partire da € 0,297*
per pezzo

100%

MOSFET DiodesZetex, canale N, 0,021 Ω, 10 A, SO-8, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 10 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = DMT616 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima dra...

Diodes

DMT616MLSS-13

a partire da € 0,274*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 90 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = OptiMOS™ -T2 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massi...

Infineon

IPD90N06S4L03ATMA2

a partire da € 1,213*
per pezzo

100%

MOSFET Infineon, canale N, 0,0018 O, 250 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta)

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive d...

Infineon

AUIRFS8407TRL

a partire da € 1.136,192*
per 800 pezzi

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