chip  (116.234 offerte tra 5.321.179 articoli)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 17 A Tensione massima drain source = 600 V Tipo di package = ECOPACK Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Modalità d...

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 75 A.MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV Qualifica AEC...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 123 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = PowerPAK SO-8L Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4 Res...

Il MOSFET Vishay Automotive N-Channel da 40 V (D-S) a 175 °C è dotato di contenitore tipo SOT-23.Qualifica AEC-Q101 Testato al 100% Rg e UIS Conformità RoHS

Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics. I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.

Il MOSFET a doppio canale N Vishay Automotive da 40 V (D-S) e 175 °C è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK.MOSFET di potenza TrenchFET® Qualifica AEC-Q101 Testato al 100% Rg e UIS

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8DC.MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM) Sintonizzati per la minima RDS...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 18 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = TrenchFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima...

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET che associa il processo Di Drain Multiplo al layout orizzontale PowerMESH™della società. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resis...

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e laffidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.Qualifica AEC-Q101...

Il Vishay SIJ150DP-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV Qg e Qoss molto bassi riducono la perdita di potenza e migliorano lefficienza I cavi flessibili fornis...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 24,7 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = TrenchFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massi...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 11 A Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 360 mΩ M...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 81 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = TrenchFET® Gen IV Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 88 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = PowerPAK SO-8L Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4 Resi...