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Il MOSFET a canale N on Semiconductor è in funzione con 110 Ampere e 80 V. Ha un ingombro ridotto per un design compatto con bassa RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione.Certificazione AEC Q1...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 73 A Tensione massima drain source = 80 V Tipo di package = SuperSO8 5 x 6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Nume...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 40 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = OptiMOS™ Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima d...

Infineon offre unampia gamma di MOSFET di potenza per uso automobilistico a canale P in contenitori DPAK, D2PAK, TO220, TO262 e SO8 con la tecnologia OptiMOS -P2 e Gen5.Canale P - livello di logica...

Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è dotato di 136 Ampere e 80 V. Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione FET/carico Orring, raddrizzatore sincrono, conversione ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 75 A Tensione massima drain source = 100 V Tipo di package = TDSON Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Numero di el...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massim...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 5,6 A Tensione massima drain source = 20 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 2 Resistenza massima dr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 60 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = WQFN12 Numero pin = 12 Resistenza massima drain source = 0,0045 Ω Modalità de...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tipo di package = PG-TO220 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Numero di elementi per chip = 1

Infineon offre unampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 55V-60V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in una varietà di contenitori e RDS(ON) di gamma ...

Il MOSFET a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è una famiglia di MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per uneccezionale ...

Il MOSFET di potenza on Semiconductor funziona con 201 Ampere e 100 V. Può essere utilizzato in sistemi hot swap a 48 V.Bassa resistenza da drain a source ON Capacità di corrente elevata Ampia area...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = SuperSO8 5 x 6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Nume...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 42 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...