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Infineon BSC160N10NS3GATMA1 |
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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 40 mΩ, 80 mΩ, 2,5 A, 7,8 A, SOIC, Montaggio superficiale (2 offerte) Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc. |
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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 50 mΩ, 5,4 A, 6,4 A, SOIC, Montaggio superficiale (2 offerte) MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc. |
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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,7 Ω, 6 Ω, 280 mA, 620 mA, SOT-563, Montaggio superficiale (1 offerta) MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc. |
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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 60 mΩ, 80 mΩ, 4,1 A, 4,98 A, SOIC, Montaggio superficiale (2 offerte) Half-bridge complementare con MOSFET in modalità potenziata, Diodes Inc. |
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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 140 mΩ (canale P), 90 mΩ (canale N), 4,6 A, 3,3 A, TSOT-26, Montaggio superficiale (1 offerta) Tipo di canale = N, P Corrente massima continuativa di drain = 4,6 A, 3,3 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = TSOT-26 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 6 ... |
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