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MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET IntelliFET a protezione automatica, Diodes Inc. I MOSFET IntelliFET sono unità a protezione automatica che integrano una gamma completa di circuiti di protezione contro ESD (dispositivo sens...

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®. I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in d...

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET a canale N con diodo Schottky, ON Semiconductor

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 27 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = DFN Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza mass...

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cel...

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex. La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che rich...