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MOSFET Toshiba, canale N, 20 Ω, 180 mA, SOT-563, Montaggio superficiale (1 offerta) Azionamento da 1,2 V N-ch 2-in-1 Bassa resistenza allaccensione: Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1,2 V) Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1,5 V) Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2,5 V) Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4,0 V) |
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MOSFET onsemi, canale N, 69 mΩ, 43 A, TO-3PN, Su foro (1 offerta) MOSFET a canale N QFET®, oltre 31 A, Fairchild Semiconductor. I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prest... |
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