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Configurazione diodi = SingoloV Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 365 mW Tipo di package = DFN1006BD-2 Tipo di zener = Regolatore di tensione

Produttore: LITTELFUSE Montaggio: THT Corpo: P600 Tolleranza: ±5% Tensione invertita max.: 104V Struttura del semiconduttore: bidirezionale Corrente nell'impulso max.: 120,2A Tensione di rottura: 1...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 180 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = OptiMOS™ -T2 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenza mass...

Produttore: CDIL Montaggio: THT Corpo: R6 Tensione invertita max.: 54V Struttura del semiconduttore: unidirezionale Corrente nell'impulso max.: 172,2A Tensione di rottura: 60,3V Corrente di dispers...

Il MOSFET serie DiodesZetex DMN3006SCA6 è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione che lo rende ideale per applicazioni di ge...

Produttore: LITTELFUSE Montaggio: THT Corpo: DO15 Tolleranza: ±5% Tensione invertita max.: 17,1V Struttura del semiconduttore: bidirezionale Corrente nell'impulso max.: 22A Tensione di rottura: 20V...

Generatori di clock, Cypress Semiconductor

Produttore: DC COMPONENTS Montaggio: SMD Corpo: SOD123F Tensione invertita max.: 90V Struttura del semiconduttore: bidirezionale Corrente nell'impulso max.: 1,37A Tensione di rottura: 100...111V Co...

Configurazione diodi = SingoloV Numero di elementi per chip = 1 Dissipazione di potenza massima = 365 mW Tipo di package = DFN1006BD-2 Tipo di zener = Regolatore di tensione

Produttore: LITTELFUSE Montaggio: THT Corpo: P600 Tolleranza: ±5% Tensione invertita max.: 108V Struttura del semiconduttore: bidirezionale Corrente nell'impulso max.: 172,9A Tensione di rottura: 1...

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor con...

Produttore: CDIL Montaggio: THT Corpo: R6 Tensione invertita max.: 58V Struttura del semiconduttore: unidirezionale Corrente nell'impulso max.: 161A Tensione di rottura: 64,8V Corrente di dispersio...

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N a 8 pin DiodesZetex 100V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, que...

Produttore: LITTELFUSE Montaggio: THT Corpo: P600 Tolleranza: ±5% Tensione invertita max.: 180V Struttura del semiconduttore: bidirezionale Corrente nell'impulso max.: 52,3A Tensione di rottura: 21...