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Moduli IGBT doppi SEMiX®. Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pre...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,7kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 95A Corrente del collettor...

Il modulo doppio IGBT EconoDual Infineon con tecnologia TRENCHSTOP IGBT4 ha una tensione collettore-emettitore di 1200 V e una corrente collettore di 600 A. È utilizzato nel controllo di motori e a...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 50A Corrente del collettor...

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = SOT-227B Tipo di montagg...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 650V Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 200A Corrente del collettor...

Moduli IGBT doppi SEMiX®. Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pre...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,7kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 21A Corrente del collettor...

Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = ECONODUAL...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 140A Corrente del colletto...

Moduli IGBT, Infineon. La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz. Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione ...

Kit scheda dimostrativa STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8Il kit scheda dimostrativa STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 è stato sviluppato per i driver di gate compatibili ad alta tensione serie L6...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Corpo: AG-62MM-1 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor/transistor;emettitore comune Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente de...

Modulo IGBT ad emettitore comune EconoDual Infineon con tecnologia TRENCHSTOP IGBT4 che ha una tensione collettore-emettitore di 1200 V e una corrente collettore di 450 A. È utilizzato nel controll...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,7kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 42A Corrente del collettor...