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Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; P2 (1 offerta) 
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY Corpo: P2 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 15A Corrente del co...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG15P12P2
a partire da € 16,33*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, canale N, ECONOD (1 offerta) 
Il modulo doppio IGBT EconoDual Infineon con tecnologia TRENCHSTOP IGBT4 ha una tensione collettore-emettitore di Viene utilizzato nel controllo di motori e azionamenti, nel convertitore di potenza...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
a partire da € 187,259*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 offerta) 
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR Corpo: F1.1 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 15A Corrente...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
a partire da € 25,27*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = Modulo ...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
a partire da € 1.166,11005*
per 15 pezzi
 
 pacchetto
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; XPT™ (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E3-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Corrente del collettore: 190A Prezzo unitario: No Montaggio elettrico: Press-in PCB Mon...
IXYS
MIXA61WB1200TEH
a partire da € 102,11*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 280 W Tipo di package = Modulo ...
Infineon
FP50R12KT3BOSA1
a partire da € 115,782*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 offerta) 
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR Corpo: L3.0 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 35A Corrente...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S
a partire da € 36,77*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, Modulo (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 3 kW Tipo di package = Modulo ...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
a partire da € 95,094*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; X2PT (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E2-Pack PFP Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Corrente del collettore: 250A Prezzo unitario: No Montaggio elettrico: Press-Fit Mo...
IXYS
MIXG240RF1200PTED
a partire da € 55,78*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, EASY2B (1 offerta) 
Modulo IGBT con ingresso trifase EasyPIM Infineon con tecnologia TRENCHSTOP IGBT4. Ha una tensione del collettore-emettitore di 1200 V e una corrente diretta di 75 A. Viene utilizzato nel controllo...
Infineon
FP75R12KT4PBPSA1
a partire da € 103,763*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 offerta) 
Produttore: STARPOWER SEMICONDUCTOR Corpo: L2.2 Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 15A Corrente...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
a partire da € 22,00*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 150 V, IC 650 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 650 A Tensione massima collettore emitter = 150 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 335 W Tipo di package = Modulo ...
Infineon
F3L150R07W2E3B11BOMA1
a partire da € 1.073,07*
per 15 pezzi
 
 pacchetto
93%
Infineon DDB6U75N16W1R (3 offerte) 
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
a partire da € 27,38*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 750 A, AG-ECONOD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 750 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = AG-ECONOD...
Infineon
FF750R12ME7B11BPSA1
a partire da € 237,708*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; Ic: 15A (1 offerta) 
Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 1 Potenza: 3kW Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 13NAB066V1 25230600
a partire da € 66,56*
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