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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Tipo di package = Q0BOOST Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo d...
onsemi
NXH100B120H3Q0PTG
a partire da € 63,785*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E1-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 20A Corrente del collettore ...
IXYS
MIXA20WB1200TML
a partire da € 25,72*
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 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 100 A, AG-EASY3B (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Configurazione = Single
Infineon
FS3L100R07W3S5B11BPSA1
a partire da € 112,86*
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 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E2-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 30A Corrente del collettore ...
IXYS
MIXA30WB1200TED
a partire da € 62,13*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 35 Ampere ...
onsemi
NXH35C120L2C2SG
a partire da € 488,046*
per 6 pezzi
 
 pacchetto
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E2-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 12A Corrente del collettore ...
IXYS
MIXA10WB1200TED
a partire da € 52,42*
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 pezzo
93%
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q13-TNPC (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...
onsemi
NXH40T120L3Q1SG
a partire da € 500,198*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E3-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 35A Corrente del collettore ...
IXYS
MUBW35-12A8
a partire da € 48,06*
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 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 400 A, AG-EASY3B (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = AG-EASY3B
Infineon
F3L400R07W3S5B59BPSA1
a partire da € 116,532*
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 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E2-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 35A Corrente del collettore ...
IXYS
MUBW25-12A7
a partire da € 79,87*
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93%
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N (2 offerte) 
Il modulo IGBT rapido 4 contenitore Semikron Semitrans 2 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere una scelta preferita per applicazioni come veicoli ibridi o elettrici, saldatrici elettroni...
Semikron
SKM100GAL12T4
a partire da € 43,042*
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 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 offerta) 
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI) Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 35A Corrent...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GT120JU3
a partire da € 23,91*
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 pezzo
93%
Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 25 A, canale N, DIP26 (1 offerta) 
Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 25 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 25 Ampere ...
onsemi
NXH25C120L2C2SG
a partire da € 55,35*
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 pezzo
93%
Modulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 20A (1 offerta) 
Produttore: IXYS Corpo: E2-Pack Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 20A Corrente del collettore ...
IXYS
MIXA20WB1200TED
a partire da € 64,40*
per pezzo
 
 pezzo
93%
Modulo IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, AG-EASY2B-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Tipo di package = AG-EASY2B-3 Tipo di montaggio = Montaggio su ci...
Infineon
FF300R08W2P2B11ABOMA1
a partire da € 877,125*
per 15 pezzi
 
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