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IGBT, 1.2kV, 28A, ISOPLUS247 (1 offerta) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXA17IF1200HJ, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=2.1 V, Corrente di collettore continua (Ic)=28 A, Corrente di dispersione emettitore=500 nA... |
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a partire da € 6,24*
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IGBT, 1.2kV, 40A, TO-247 (2 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IKW40T120FKSA1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.7 V, Corrente di collettore continua (Ic)=40 A, Corrente di dispersione emettitore=600 n... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (2 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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a partire da € 5,743*
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale P, TO-247 (3 offerte) Rispondendo alla domanda del mercato di ospitare un volume sempre crescente di silicio in contenitori più piccoli e salvaspazio, Infineon introduce il nuovo contenitore TO-247PLUS per IGBT da 1200 ... |
Infineon IKQ75N120CT2XKSA1 |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 43 A, canale N, ISOPLUS247 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 15 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT, 1.2kV, 58A, TO-247 (2 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXA33IF1200HB, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=2.1 V, Corrente di collettore continua (Ic)=58 A, Corrente di dispersione emettitore=500 nA... |
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