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  igbt  (6.010 offerte tra 5.469.747 articoli)

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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 3,83*
per pezzo
 
 pezzo
99%
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; TSOT25; -2,8÷2,5A (2 offerte) 
Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: TSOT25 Tensione di alimentazione: 4,5...18V Corrente d'uscita: -2,8...2,5A Tipo di circuito integrato: drive...
Diodes
DGD0280WT-7
a partire da € 0,388*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Transistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 277W; TO247-3 (2 offerte) 
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione collettore-emettitore: 1,2kV Tensione porta - emettitore: ±30V Corrente del collettore: 40A Corrente del collettore nel impulso...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2HRC11
a partire da € 5,54*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 153,6102*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
99%
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; DIP8; -1,5÷1,5A (3 offerte) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: DIP8 Potenza: 1W Tensione di alimentazione: 6...20V DC Tempo d'avvio: 85ns Tempo d'interruzione: 65ns Corr...
Infineon
IR4427PBF
a partire da € 1,024*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 114,5802*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
99%
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO16-W; -5÷2,5A (1 offerta) 
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: SO16-W Tensione di alimentazione: 15...30V DC Corrente d'uscita: -5...2,5A Tipo di circuito integrato: driver ...
Texas Instruments
ISO5852SDW
a partire da € 4,58*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 6,02*
per pezzo
 
 pezzo
99%
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO8; -600÷290mA (1 offerta) 
Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: SO8 Tensione di alimentazione: 10...20V Corrente d'uscita: -600...290mA Tipo di circuito integrato: driver T...
Diodes
DGD1503S8-13
a partire da € 0,55*
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 pezzo
99%
ROHM RGW00TK65GVC11 IGBT, SINGOLO, 650V, 45A, TO-3PFM (1 offerta) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor TO-3PFM Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione di satu...
ROHM Semiconductor
RGW00TK65GVC11
a partire da € 2,46*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 8,243*
per pezzo
 
 pezzo
99%
IC: driver; semi ponte IGBT; EiceDRIVER™; PG-DSO-14; -2,5÷1,8A (3 offerte) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Corpo: PG-DSO-14 Tensione di alimentazione: 10...20V Corrente d'uscita: -2,5...1,8A Tipo di circuito integrato: driver Numero canali: 2 Proprieta de...
Infineon
2EDL23I06PJXUMA1
a partire da € 0,88*
per pezzo
 
 pezzo
99%
ONSEMI FGB40T65SPD-F085 IGBT, AEC-Q101, CA-N, 650V, 80A, TO263AB (2 offerte) 
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-26...
onsemi
FGB40T65SPD-F085
a partire da € 2,33*
per pezzo
 
 pezzo
99%
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 233,0802*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
99%
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO16-W; -5÷2,5A (1 offerta) 
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: SO16-W Tensione di alimentazione: 15...30V DC Corrente d'uscita: -5...2,5A Tipo di circuito integrato: driver ...
Texas Instruments
ISO5851DW
a partire da € 4,85*
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