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Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurr...

Il MOSFET in modalità potenziata a canale P DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che...

Questo MOSFET di nuova generazione è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per appli...

RDS(ON) resistenza più bassa in stato attivo e Qg di carica del gate Recupero rapido del diodo del corpo, robustezza dv/dt Eccellente capacità con effetto valanga Contenitori standard internazional...

Il MOSFET di potenza ROHM ha un tipo di contenitore TO-3PF. È utilizzato principalmente per applicazioni di commutazione.Tempo di recupero inverso (TTR) rapido Bassa resistenza in stato attivo Elev...

Infineon 600V CoolMOS CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a supergiunzione ad alta tensione di Infineon con diodo integrato a corpo rapido, che completa la serie CoolMOS 7. CoolMOS CFD7 viene f...

Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione d...

Il MOSFET MV a canale N serie Power Trench 150V DI ON Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per r...

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una c...