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Transistor (BJT) - discreti Transistore NPN (nastro 8 mm) dati tecnici: Caratteristiche (transistor): NPN · Case: SOT-323-3 · Collettore di corrente I(C): 100 mA · Compatibile RoHS: Sì · Corrente d...

Lo switch RF MOS Infineon BGSX22G5A10 è progettato specificamente per le applicazioni multi-antenna LTE e WCDMA. Questo DPDT offre una bassa perdita di inserimento e una bassa generazione di armoni...

Power Switch Type = Lato alto Tensione di alimentazione operativa massima = 3,6 V Corrente di funzionamento massima = 120µA

Transistor HF (BJT) dati tecnici: Caratteristiche (transistor): NPN · Case: SC-82A · Cifra di rumore F: 1.1 dB · Collettore di corrente I(C): 35 mA · Fabbricante: Infineon Technologies · Frequenza ...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Corpo: SOT363 Frequenza: 8GHz Tensione collettore-emettitore: 12V Amplificazione del transistor: 70...140 Corrente del collettore: 20mA Tipo del tra...

Transistor (BJT) - discreti Transistore Darlington PNP (nastro 8 mm). dati tecnici: Caratteristiche (transistor): PNP - Darlington · Case: SOT-23-3 · Collettore di corrente I(C): -500 mA · Compatib...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: SO28-W Potenza: 1,6W Tensione di alimentazione: 10...20V DC Tempo d'avvio: 675ns Tempo d'interruzione: 475...

Transistor (BJT) - discreti Transistore NPN Darlington (nastro 12 mm). dati tecnici: Caratteristiche (transistor): NPN - Darlington · Case: SOT-89 · Collettore di corrente I(C): 500 mA · Compatibil...

Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Tipo di package = DIP

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: TO220-2 Tensione invertita max.: 0,6kV Corrente di conduzione: 30A Struttura del semiconduttore: diodo singolo Genere di confezione: tubo Pre...

Transistor (BJT) - discreti dati tecnici: Caratteristiche (transistor): PNP · Case: SOT-23-3 · Collettore di corrente I(C): -600 mA · Corrente di dispersione di collettore I(CES): -10 nA · Fabbrica...