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Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...150°C Corpo: PG-TO252-3 Resistenza nello stato di conduzione: 135mΩ Tempo d'avvio: 76µs Tempo d'interruzione: 130µs Ten...

Diodo in silicio di potenza per controller emettitore switching serie Infineon Rapid 1 in configurazione a catodo comune e in un contenitore TO-247, che consente lottimizzazione del progetto per di...

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: THT Corpo: PG-TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 600V Corrente di drenaggio: 39A Resistenza nello stato di conduzione: 75mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET...

Configurazione diodi = Singolo Applicazione = Switch Corrente massima di forward = 100mA Massima tensione inversa = 150V Durata titpica della portante = 1.55µs

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Corpo: SOT223-3 Resistenza nello stato di conduzione: 35mΩ Tensione d'uscita: 42V Corrente d'uscita: 3A Tipo di circuito integrato: power switch Num...

Configurazione diodi = Coppia antiparalleli Applicazione = Switch Corrente massima di forward = 20mA Massima tensione inversa = 40V

Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Corpo: TO252-3 Resistenza nello stato di conduzione: 23mΩ Tensione d'uscita: 42V Corrente d'uscita: 4,6A Tipo di circuito integrato: power switch Nu...

Corrente massima continuativa di drain = 211 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = PG-TO247-3 Tipo di montaggio = Su foro

Infineon CoolSiC Generation 6 offre una nuova tecnologia allavanguardia per diodo a barriera schottky con corrente nominale di Questa ultima generazione è adatta per luso negli SMPS di telecomunica...