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MOSFET + Diodo Infineon, canale N, 82 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 82 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = SuperSO8 5 x 6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Nume...

Infineon

BSZ0503NSIATMA1

a partire da € 0,825*
per pezzo

100%

Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Configurazione = Single

Infineon

IKW75N65SS5XKSA1

a partire da € 8,273*
per pezzo

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MOSFET Infineon (1 offerta)

MOSFET

Infineon

IGOT60R070D1AUMA3

a partire da € 7,977*
per pezzo

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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW40N65RH5XKSA1

a partire da € 114,3501*
per 30 pezzi

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MOSFET Infineon (1 offerta)

MOSFET

Infineon

IPB65R099CFD7AATMA1

a partire da € 3,685*
per pezzo

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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IGW50N65F5FKSA1

a partire da € 2,974*
per pezzo

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Modulo WiFi Infineon CYW43439KUBGT, 4.8V, 4.40 x 2.40 x 0.55mm (1 offerta)

Protocollo supportato = IEEE 802.11 b/g/n Standard di sicurezza supportati = WPA, WPA2 Interfaccia Bus supportata = SDIO Tensione di alimentazione = 4.8V Dimensioni = 4.40 x 2.40 x 0.55mm

Infineon

CYW43439KUBGT

a partire da € 3,012*
per pezzo

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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65H5FKSA1

a partire da € 2,927*
per pezzo

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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65SS5XKSA1

a partire da € 172,89*
per 30 pezzi

100%

Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW75N65SS5XKSA1

a partire da € 242,5002*
per 30 pezzi

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MOSFET Infineon (1 offerta)

MOSFET

Infineon

IST011N06NM5AUMA1

a partire da € 3,461*
per pezzo

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Modulo trigger tiristore SCR Infineon, BG-PB501-1, 1050A, 1600V (1 offerta)

Corrente nominale media di on-state = 1050A Tipo tiristore = SCR Tipo di package = BG-PB501-1 Picco ripetitivo di tensione inversa = 1600V Corrente nominale = 1.05kA Corrente di gate trigger massim...

Infineon

TZ600N16KOFHPSA1

a partire da € 173,567*
per pezzo

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MOSFET Infineon (1 offerta)

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Infineon

IMBG120R045M1HXTMA1

a partire da € 9,13*
per pezzo

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MOSFET + Diodo Infineon, canale N, 40 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 40 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = SuperSO8 5 x 6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Nume...

Infineon

BSC0924NDIATMA1

a partire da € 0,755*
per pezzo

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MOSFET Infineon (1 offerta)

MOSFET

Infineon

IPT014N08NM5ATMA1

a partire da € 5.086,96*
per 2.000 pezzi

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