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Corrente di Sink (Pozzo) 2.3 A Configurazione Driver mezzo ponte Package/case del circuito integrato DSO Numero di canali 2 Canali Corrente di Source (Sorgente) 2.3 A Tipo di Interruttore di Potenz...

IGBT singolo oltre 21 A, Infineon. IGBT ottimizzato progettato per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Sfrutta diodi ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0111 ohm Gamma di prodotti HEXFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale cana...

MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon. La famiglia StrongIRFET di Infineon è ottimizzata per offrire bassa resistenza R ;sub>DS ;/sub>(on) e capacità di corrente elevata. Questa gamma offre un g...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T...

Gamma di prodotti - Produttore Chip Infineon Sottotipo Applicazione Driver Gate MOSFET Contenuto Kit Scheda dimostrativa AUIR3241S Tipo di Applicazione Kit Gestione Alimentazione Sostanze estremame...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forni...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0015 ohm Gamma di prodotti serie HEXFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Mo...

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...