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  international rectifier  (24 offerte tra 5.511.232 articoli)

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Infineon PVG612A trasmettitore di potenza (2 offerte) 
Infineon PVG612A
Infineon
PVG612APBF
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MOSFET International Rectifier, canale N, 80 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di fo...
International Rectifier
IRLML2502TRPBF
a partire da € 2,12*
per 20 pezzi
 
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MOSFET International Rectifier, canale P, 22 mΩ, 11 A, SO-8, Montaggio superficiale (3 offerte) 
MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
a partire da € 0,462*
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Driver gate MOSFET PVG612APBF, 2 A, 60V, PDIP, 6-Pin (1 offerta) 
Uscita a transistor - FET e MOSFET, Infineon. La serie PDV13 di Infineon è composta da un elemento di ricambio unipolare a stato solido normalmente aperto per relè elettromeccanici impiegati per la...
International Rectifier
SP001547270
a partire da € 7,61*
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IRLML2502TRPBF
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MOSFET International Rectifier, canale P, 22 mΩ, 11 A, SO-8, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma ...
International Rectifier
IRF7424TRPBF
a partire da € 7,96*
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MOSFET Infineon, canale N, 0.2 Ω, 3,5 A, SO-8, Montaggio superficiale (2 offerte) 
La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio....
Infineon
IRF9956TRPBF
a partire da € 711,68*
per 4.000 pezzi
 
 pacchetto
92%
MOSFET Infineon, canale N, 0,029 Ω, 6,6 A, SO-8, Montaggio superficiale (1 offerta) 
La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio....
Infineon
IRF7311TRPBF
a partire da € 0,792*
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92%
MOSFET Infineon, canale N, 0,023 Ω, 48 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (3 offerte) 
La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per larea del silicio....
Infineon
IRFZ44ESTRLPBF
a partire da € 0,52*
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Infineon
IRF9530NSTRLPBF
a partire da € 0,392*
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91%
MOSFET Infineon, canale N, 115 mΩ, 16 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio....
Infineon
IRFR3910TRLPBF
a partire da € 0,376*
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Infineon
IRFR2405TRPBF
a partire da € 0,454*
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91%
MOSFET Infineon, canale N, 0,023 Ω, 57 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (2 offerte) 
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon HEXFET. I MOSFET di potenza HEXFET di International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa al...
Infineon
IRF3710STRLPBF
a partire da € 0,654*
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Driver gate MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A, 4.25 → 16V, PQFN (1 offerta) 
Lo stadio di potenza integrato Infineon combina la tecnologia MOSFET a bassa tensione più Advanced con il design più recente. Questa integrazione di tecnologia driver, tecnologia FET e tecnologia c...
Infineon
IR35412MTRPBFAUMA1
a partire da € 2,118*
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Driver gate MOSFET IR35411MTRPBFAUMA1, 60 A, 4.25 → 16V, PQFN (1 offerta) 
Lo stadio di potenza integrato Infineon combina la tecnologia MOSFET a bassa tensione più Advanced con il design più recente. Questa integrazione di tecnologia driver, tecnologia FET e tecnologia c...
Infineon
IR35411MTRPBFAUMA1
a partire da € 2,019*
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