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  MOSFET  (25.232 offerte tra 5.317.109 articoli)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 12A; 86W; TO263 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 620mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: ...
WAYON
WMM12N80M3
a partire da € 0,60*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Semelab, canale N, 9 Ω, 170 mA, TO-18, Su foro (1 offerta) 
Transistor MOSFET a canale N, Semelab
Semelab
VN10K
a partire da € 283,5702*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 21A; 250W; TO247-3 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 21A Resistenza nello stato di conduzione: 0,26Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata...
WAYON
WMJ25N80M3
a partire da € 2,39*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.03 Ω, 91 A, HiP247-4, Su foro (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 91 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di package = HiP247-4 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Resistenza massima drai...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
a partire da € 65,92*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,021 Ω, 91 A, HiP247, Su foro (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 91 A Tensione massima drain source = 1200 V Serie = SCTW70N Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = ...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
a partire da € 30,25*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 15A; 150W; TO247-3 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 15A Resistenza nello stato di conduzione: 0,36Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata...
WAYON
WMJ15N80M3
a partire da € 2,46*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10 A, Nastro e bobina, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 10 A Tensione massima drain source = 800 V Tipo di package = Nastro e bobina Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Modalità del cana...
ST Microelectronics
STD80N450K6
a partire da € 1,44*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 13A; 130W; TO251 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: THT Corpo: TO251 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 13A Resistenza nello stato di conduzione: 0,48Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: ...
WAYON
WMP13N80M3
a partire da € 0,63*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, 0,105 O, 33 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando lAdvanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presen...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partire da € 12,469*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 21A; 250W; TO263 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 21A Resistenza nello stato di conduzione: 0,26Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: ...
WAYON
WMM25N80M3
a partire da € 1,63*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.07 Ω, 45 A, HiP247-4, Su foro (1 offerta) 
MOSFET SiCMOSFET SiC STPOWER STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 con IGBT Trench Field-STOP (TFS) della stessa tensione nominale e resistenza equivalente in stato attivo. Il MOSFET SiC S...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partire da € 26,818*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolare; 650V; 18A; 290W; TO263 (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 135ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 18A Resistenza nello stato di conduzione: 0,2Ω Tipo del transistor: N...
IXYS
IXFA18N65X2
a partire da € 2,56*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,024 Ω, 119 A, HiP247, Su foro (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 119A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità ...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
a partire da € 21,854*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolare; 800V; 2,5A; 29W; TO252 (1 offerta) 
Produttore: WAYON Montaggio: SMD Corpo: TO252 Tensione drenaggio-fonte: 800V Corrente di drenaggio: 2,5A Resistenza nello stato di conduzione: 4Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: 29...
WAYON
WMO03N80M3
a partire da € 0,169*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 100 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = LFPAK, SOT-669 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4
ST Microelectronics
STK130N4LF7AG
a partire da € 2.397,60*
per 3.000 pezzi
 
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