MOSFET  (25.241 offerte tra 5.317.746 articoli)

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=BS170-D27Z, Corrente di drain continua (Id)=500 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=830 mW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=5 Ω, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Te...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Corrente di Source (Sorgente) 1 A Tipo di Interruttore di Potenza MOSFET Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 3.5 V Numero di pin 16 Pin Corrente di Sin...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=BS170-D75Z, Corrente di drain continua (Id)=500 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=830 mW, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=5 Ω, Temperatura di esercizio, max.=150 °C, Te...

Accoppiatore ottico, uscita logica, Fairchild Semiconductor

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.012 ohm Gamma di prodotti G3R Series Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale ...

MOSFET ; IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire ...

MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor. Il processo MegaFET, che utilizza dimensioni strutturali simili a quelle dei circuiti integrati LSI, offre un utilizzo ottimale del silicio, che si traduce ...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Corrente di Source (Sorgente) 4 A Tipo di Interruttore di Potenza HEMT su base GaN Gamma di prodotti - Tipo di Ingresso Non-Invertente Tensione di alimentazione max 20 V Livello di sensibilità all'...

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, fino a 2,5 A, Texas Instruments. Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in gra...

Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.16 ohm Gamma di prodotti G3R Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N...

Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IRFZ48RPBF, Corrente di drain continua (Id)=50 A, Dissipazione di potenza (Pd)=190 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=18 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Tem...

Accoppiatore ottico, stadio pilota IGBT/MOSFET, Fairchild Semiconductor