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MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon. Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che c...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 500 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensi...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0103 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N...

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornis...

Tensione di test di Rds(on) 8 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di ...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.47 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tran...

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornisco...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.012 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tran...

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...

MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2. OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di pro...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.017 ohm Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Mo...

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adat...

Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN2020M Tensione Dra...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 85 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = OptiMOS™ Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima d...