MOSFET  (25.209 offerte tra 5.299.737 articoli)

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®. I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in d...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0063 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tra...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.275 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tran...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 31 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = IRFR5305PBF Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massim...

MOSFET di potenza a canale P da 12 V a 20 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di...

Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua ...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione...

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di f...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0072 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di fo...

Tipo di Capacità Elettrica di I/O 0.8 pF Corrente di Dispersione in Stato ZollSpento Zoll Zoll1 32 0.000001 Gamma di prodotti G3VM-HR Terminali del Relè Ala di Gabbiano Resistenza Stato On Max 0.02...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione drain-source (Vds) canale N 24 V Corrente di drain continua (Id) canale P 10 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tension...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0075 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Tra...