MOSFET  (25.294 offerte tra 5.488.336 articoli)

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0055 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.55 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Trans...

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

Corrente Continua di Drain Id 105 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 110 W Qualificazioni - Tensione di...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 8 A Tensione massima drain source = 60 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resist...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.43 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Co...

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

MOSFET a canale N , serie 2SK, Toshiba

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0041 ohm Gamma di prodotti U-MOSX-H Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale cana...

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.3 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Cor...

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 60 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resis...

Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V S...

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0042 ohm Gamma di prodo...