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MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) Commutazione ad alta velocitàLivello ESD(HBM) 2 kV Resistenza allaccensione drain-source bassa RDS(ON) = 1,05 Ω (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1,15 Ω (@VGS = 5,0 V) RDS(ON) = 1,2 Ω (@VGS = 4,5 V) |
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a partire da € 4,47* per 100 pezzi |
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