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MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET a 30 V a canale N (D-S) con diodo Schottky.MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV SKYFET® con diodo Schottky monolitico RDS x Qg e RDS x Qgd FOM ottimizzati consentono una maggiore efficienza p...

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

Barra di sollevamento n. 2 per altezza vano di 3000 mm

SIEMENS - Device: 7SS85 Busbar Protectio n 2 zones, 4 bays incl., discI m Housing type: Flush mountin g, BI: 107, BO: 57 (25ST + 32F + 0HS + 0P), CT: 40 (protectio n), VT: 8 (standard), |Measuring-...

Ricoperti con vernici metallizzate per un’ eccezionale protezione alla corrosione e per permettere lo scorrimento sulla carta senza strappi. Colori assortiti vivaci e metallizzati.

Elettrovalvola Festo VZWF-L-M22C-N2-500-V-3AP4-6-R1 azionata da pilota di forza, collegamento NPT2″. Questa è la versione del prodotto standard e la valvola a 2/2 vie, normalmente chiusa. È il soll...

SIEMENS - Device: 7SS85 Busbar Protectio n 2 zones, 4 bays incl. with S tandardvariant Housing type: Flush mounting, BI: 19, BO: 11 (11ST + 0F + 0HS + 0P), CT: 0 (protection), VT: 0 (standard) , |M...

Elettrovalvola Festo VZWF-L-M22C-N2-500-e-3AP4-6-R1 azionata da pilota di forza, collegamento NPT2″. Questa è la versione del prodotto standard e la valvola a 2/2 vie, normalmente chiusa. È il soll...

SIEMENS - Device: 7SS85 Busbar Protectio n 2 zones, 4 bays incl., discI m Housing type: Flush mountin g, BI: 23, BO: 23 (3ST + 20F + 0HS + 0P), CT: 40 (protection) , VT: 0 (standard), |Measuring-tr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 300 A Tensione massima drain source = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massi...