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Tipo di package = SOT-223 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 2,1 W Configurazione transistor = Singolo Numero pin = 3 + Tab Numero di elementi per chip = 1...

Produttore: ONSEMI Corpo: GBU Uscite: pin piatti Tensione invertita max.: 0,8kV Tensione di conduzione max.: 1V Corrente di conduzione: 8A Corrente nell'impulso max.: 200A Genere di confezione: tub...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 102 A Tensione massima drain source = 1200 V Serie = NVH Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Resistenza massima drain source = 0,0...

Produttore: ONSEMI Montaggio: THT Corpo: DIP6 Numero canali: 1 Genere di uscita: triac Tensione di isolamento: 4,17kV Prezzo unitario: No Velocità d'incremento della tensione: 0,6kV/μs Serie del pr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 150 A Tensione massima drain source = 40 V Serie = NTTF Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima drai...

Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Temperatura di lavoro: -40...125°C Corpo: SO8 Tensione di lavoro: 3...40V Frequenza: 110...190kHz Corrente d'uscita: 1,5A Tipo di circuito integrato: PMIC Numero c...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 60 A Tensione massima drain source = 1200 V Serie = NTB Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenza massima drai...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 110 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = NVM Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima drain...

Attenzione! Il prodotto è in vendita solo per le quantità disponibili a magazzino. Nel caso di ordini per quantità superiori, questa sarà modificata portandola a quella disponibile. Produttore: ONS...

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è in funzione con 14 Ampere e 80 V. Ha un ingombro ridotto per un design compatto con bassa RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione.Certificazione AEC Q10...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 136 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = NTMFS Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima dra...

Questo MOSFET a canale N viene prodotto utilizzando un Advanced PowerTrench® processo che è stato adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di comm...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 58 A Tensione massima drain source = 1200 V Serie = NVH Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Resistenza massima drain source = 0,05...

Il MOSFET a canale N doppio simmetrico ON Semiconductor include due MOSFET a canale N specializzati in un contenitore doppio. Il nodo di commutazione è stato collegato internamente per consentire u...

Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 17,3 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.Resistenza all...