Transistor di potenza  (29.680 offerte tra 5.366.836 articoli)

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua...

Produttore: POWERSEM Corpo: ECO-PAC 2 Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: transistor/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 83A Corrente del ...

MOSFET dati tecnici: C(ISS): 390 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale P · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: HEXDIP · Compatibile RoHS: Sì · Fabbr...

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 361 W Tipo di package = TO-247 T...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.011 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Produttore: SEMIKRON DANFOSS Corpo: MiniSKiiP® 3 Potenza: 30kW Tensione invertita max.: 1,2kV Struttura del semiconduttore: transistor/transistor Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del coll...

Infineon ILD8150E è un IC convertitore c.c.-c.c. 80V, progettato per attivare LED ad alta potenza. Per le applicazioni che operano in prossimità dei limiti di sicurezza di tensione ultra bassa (SEL...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N C...

Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY Corpo: ISOTOP Struttura del semiconduttore: diodo/transistor Tensione drenaggio-fonte: 500V Corrente di drenaggio: 33A Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω Po...

MOSFET dati tecnici: C(ISS): 1300 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-220 · Compatibile RoHS: Sì · Fabb...

Corrente massima continuativa collettore = 140 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-247 Tipo di montaggi...

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT26 Struttura del semiconduttore: drenaggio comune Tensione drenaggio-fonte: 20V Corrente di drenaggio: 5,2A Resistenza nello stato di conduz...

Produttore: IXYS Corpo: SOT227B Tensione invertita max.: 0,6kV Struttura del semiconduttore: transistor singolo Tensione porta - emettitore: ±20V Corrente del collettore: 98A Corrente del collettor...

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: TO252 Tensione drenaggio-fonte: 30V Corrente di drenaggio: 6,5A Resistenza nello stato di conduzione: 24mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenz...