Transistor di potenza  (20.409 offerte tra 5.318.173 articoli)

Questo dispositivo JFET a canale N è progettato per applicazioni di commutazione analogica e chopper.Sono disponibili contenitori senza piombo

Tipo transistor = NPN Tensione massima collettore emitter = 100 V Tipo di package = TO-92 Tipo di montaggio = Su foro Dissipazione di potenza massima = 830 mW Configurazione transistor = Singolo Te...

Il transistore bipolare di potenza Darlington è progettato per applicazioni di commutazione generiche e a bassa velocità. Tip120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sono dispositivi...

Tipo di package = D2PAK Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 313 W Numero pin = 2 + Tab Numero di elementi per chip = 1 Massima temperatura operativa = +150 ...

Tipo transistor = NPN Tensione massima collettore emitter = 30 V Tipo di package = TO-92 Tipo di montaggio = Su foro Dissipazione di potenza massima = 625 mW Configurazione transistor = Singolo Ten...

FJI5603D: Transistor al silicio NPNAmpia area operativa sicura Piccola variazione nel tempo di memorizzazione Diodo a ruota libera incorporato Applicazione interruttore di alimentazione ad alta ten...

Tipo di package = SOT-223 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 2,1 W Configurazione transistor = Singolo Numero pin = 3 + Tab Numero di elementi per chip = 1...

Tipo transistor = NPN Corrente c.c. massima collettore = 300 mA Tensione massima collettore emitter = 400 V Tipo di package = SOT-223 (SC-73) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione...

Amplificatore per impieghi generali a canale N Questo dispositivo è progettato principalmente per applicazioni audio e generiche di basso livello con sorgenti di segnale ad alta impedenza. Originat...

Il transistor bipolare NPN è progettato per luso in applicazioni di amplificatori audio. Il dispositivo è alloggiato nel contenitore SOT-223, progettato per applicazioni di media potenza su superfi...

Tensione massima collettore emitter = 390 (Ripartizione) V. Tipo di package = TO-220 Tipo di montaggio = Su foro Dissipazione di potenza massima = 250 W Configurazione transistor = Singolo Numero p...

Il transistor bipolare PNP di potenza è progettato per lamplificazione e la commutazione di potenza per scopi generali, come gli stadi di uscita o di pilotaggio in applicazioni quali regolatori di ...

Questo MOSFET a canale N viene prodotto utilizzando un Advanced PowerTrench® processo che è stato adattato per minimizzare la resistenza allo stato attivo mantenendo al contempo prestazioni di comm...

Switch a canale P Questo dispositivo è progettato per circuiti di campionamento e mantenimento analogici di basso livello e amplificatori stabilizzati con chopper. Proveniente dal processo 88.Appli...