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  Transistor di potenza  (20.409 offerte tra 5.318.173 articoli)

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NEXPERIA PSMN1R7-40YLDX MOSFET, CANALE N, 40V, 200A, 175°C, 194W (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0015 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Tra...
Nexperia
PSMN1R7-40YLDX
a partire da € 0,888*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STL4N80K5
a partire da € 5,70*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
NEXPERIA PSMN6R0-25YLB,115 MOSFET, CAN N, 25V, 73A, LFPAK56 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0051 ohm Gamma di prodotti NextPower Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Monta...
Nexperia
PSMN6R0-25YLB,115
a partire da € 0,194*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 500 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro (2 offerte) 
MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP15N95K5
a partire da € 2,425*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PXN018-30QLJ MOSFET, CANALE N, 30V, 7,5A, MLPAK33 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.015 ohm Gamma di prodotti Trench Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio...
Nexperia
PXN018-30QLJ
a partire da € 0,505*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 10,5 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro (2 offerte) 
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
ST Microelectronics
STP120NF10
a partire da € 2,201*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PSMN1R9-80SSEJ MOSFET, CAN N, 80V, 286A, LFPAK88 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Nexperia
PSMN1R9-80SSEJ
a partire da € 2,64*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, TO-220, Su foro (2 offerte) 
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP4NK60Z
a partire da € 0,367*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PSMN6R1-30YLDX MOSFET, CANALE N, 30V, 66A, SOT-669-4 (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00505 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Tr...
Nexperia
PSMN6R1-30YLDX
a partire da € 0,217*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 20 A, M174, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics. I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.
ST Microelectronics
SD2931-10W
a partire da € 62,634*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PXN5R5-30QLJ MOS DISCRETES (1 offerta) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0054 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N ...
Nexperia
PXN5R5-30QLJ
a partire da € 0,785*
per 5 pezzi
 
 pacchetto
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 520 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro (2 offerte) 
MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STP11NK50Z
a partire da € 0,82*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PSMN2R0-55YLHX MOSFET, N-CH, 55V, 200A, LFPAK56E (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00163 ohm Gamma di prodotti NextPower-S3 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin M...
Nexperia
PSMN2R0-55YLHX
a partire da € 1,76*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET STMicroelectronics, canale N, 100 mΩ, 45 A, HiP247, Su foro (2 offerte) 
MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET al carburo di silicio (SiC) presentano una resistenza statica drain-source a stato attivo molto bassa per il valore nomin...
ST Microelectronics
SCT30N120
a partire da € 16,445*
per pezzo
 
 pezzo
NEXPERIA PSMN6R7-40MLDX MOSFET, CANALE N, 40V, 50A, 175°C, 65W (2 offerte) 
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0055 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Tra...
Nexperia
PSMN6R7-40MLDX
a partire da € 0,227*
per pezzo
 
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