Transistor digitale  (1.054 offerte tra 5.301.917 articoli)

Tensione massima collettore emitter = 390 (Ripartizione) V. Tipo di package = TO-220 Tipo di montaggio = Su foro Dissipazione di potenza massima = 250 W Configurazione transistor = Singolo Numero p...

Tipo transistor = NPN/NPN Corrente c.c. massima collettore = 100 mA Tensione massima collettore emitter = 50 V Tipo di package = SOT-563 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Guadagno minimo c...

Doppi transistor digitali dotati di resistore doppio, Nexperia

Switch a canale P Questo dispositivo è progettato per circuiti di campionamento e mantenimento analogici di basso livello e amplificatori stabilizzati con chopper. Proveniente dal processo 88.Appli...

Tipo transistor = NPN/PNP Corrente c.c. massima collettore = 100 mA Tensione massima collettore emitter = 50 V Tipo di package = SOT-363 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di p...

Questa serie di transistor digitali è progettata per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzazione del resistore esterno. Il Transistore di Resistenza Bias (BRT) contiene un sin...

Tipo di package = CPH6 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 1,6 W Numero pin = 6 Numero di elementi per chip = 1 Massima temperatura operativa = +150 °Cmm

Tipo transistor = NPN/PNP Corrente c.c. massima collettore = 200 mA Tensione massima collettore emitter = 50 V Tipo di package = SOT-363 (SC-88) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazi...

Tipo di package = TO-220 Tipo di montaggio = Su foro Dissipazione di potenza massima = 235 W Numero pin = 3 Numero di elementi per chip = 1 Massima temperatura operativa = +150 °Cmm

Tipo di package = D2PAK Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 158 W Numero pin = 2 + Tab Numero di elementi per chip = 1 Dimensioni = 10.67 x 9.65 x 4.58mm

Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando un Advanced Power Trench® processo ottimizzato per rDS(on), prestazioni di commutazione e robustezza.Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2,7 A. M...

Tipo transistor = NPN/PNP Corrente c.c. massima collettore = 100 mA Tensione massima collettore emitter = 50 V Tipo di package = SOT-363 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di p...

Tipo di package = D2PAK Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 313 W Numero pin = 2 + Tab Numero di elementi per chip = 1 Massima temperatura operativa = +150 ...

NCV8440 è un dispositivo MOSFET di potenza a canale N protetto. La funzione di protezione include il dispositivo di bloccaggio integrato Drain-to-Gate per la protezione da sovratensioni.Morsetto a ...

Tipo di package = ChipFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Dissipazione di potenza massima = 1,1 W Numero pin = 8 Numero di elementi per chip = 2 Massima temperatura operativa = +150 °Cmm