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MOSFET onsemi, canale N, 6 Ω, 170 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1032944
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     BSS123LT1G
EAN/GTIN:
     5059042360202
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, da 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
170 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
6 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.8V
Dissipazione di potenza massima:
225 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.9mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1032944, Semiconduttori, Discreti, onsemi, BSS123LT1G
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