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MOSFET Nexperia, canale N, 5,8 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1038123
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN3R5-80PS,127
EAN/GTIN:
     5059043413808
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
120 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
TO-220AB
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
5,8 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
338 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.3mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 1038123, Semiconduttori, Discreti, Nexperia, PSMN3R580PS,127
Riepilogo condizioni1
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