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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 280 A, canale N, EconoPACK 3


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N. Articolo:
     3369E-1107155
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS200R12KT4R
EAN/GTIN:
     5059043389288
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Moduli IGBT, Infineon. La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz. Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup> e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.. Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
280 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
1000 W
Configurazione:
Ponte trifase
Tipo di package:
EconoPACK 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
35
Configurazione transistor:
Trifase
Dimensioni:
122 x 62 x 17mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistor, Transistor di potenza, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1107155, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS200R12KT4R
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