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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 110 mΩ, 28 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1116482
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW35N60DM2
EAN/GTIN:
     5059042896572
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics. I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento. Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema Qualifica AEC-Q101
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
28 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
MDmesh DM2
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
110 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
210 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
15.75mm
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1116482, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STW35N60DM2
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