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MOSFET Vishay, canale N, 180 mΩ, 19 A, TO247AC, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1219656
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHG20N50E-GE3
EAN/GTIN:
     5059040860742
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale N, serie E, bassa figura di merito, Vishay Semiconductor. I MOSFET di potenza serie E di Vishay sono transistori ad alta tensione con resistenza massima ultra-bassa, bassa figura di merito e commutazione rapida. Sono disponibili in un'ampia gamma di correnti nominali. Le applicazioni tipiche includono server e alimentatori di telecomunicazione, illuminazione a LED, convertitori flyback, correzione del fattore di potenza (PFC) e alimentatori switching (SMPS). Caratteristiche. Bassa figura di merito (FOM) RDS(on) x Qg Bassa capacità di ingresso (Ciss) Bassa resistenza (RDS(on)) Carica del gate ultrabassa (Qg) Commutazione rapida Perdite di conduzione e commutazione ridotte
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
19 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
TO247AC
Serie:
E Series
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
179 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
15.87mm
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, 1219656, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHG20N50EGE3
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