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Transistori
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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1223313
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMN3190LDW-7
EAN/GTIN:
5059043263137
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
1,3 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
335 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.8V
Dissipazione di potenza massima:
400 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
1223313
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
DiodesZetex
,
DMN3190LDW7
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